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碳化硅二极管600v 提供务实的解决方案

文章来源:广东升威电子制品有限公司 时间:2019-01-12 16:14 点击:2
半导体重要的两种元素是硅(读“gui”)和锗(读“zhe”)。我们常听说的美国硅谷,就是因为起先那里有好多家半导体厂商。

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新一代肖特基二极管(thinQ!2G)融合了普通SiC肖特基二极管和双极pn结构,从而具有非常高的浪涌电流承受能力和稳定的过压特性。
2.为了设计效率和外形尺寸优的CCM PFC,升压二极管还必须具备以下一些特性:较短的反向恢复和正向恢复时间;小的储存电荷Q;低的漏电流和低的开关损耗。过压和浪涌电流能力非常重要,它们能够用来处理PFC中由启动和交流回落引起的浪涌和过电流。这些特性只有用碳化硅肖特基二极管(SiC肖特基二极管)才能实现。
3.由于SiC肖特基二极管中缺少正向和反向恢复电荷,因此可以用更小的升压MOSFET。这样做除了成本得到降低外,器件温度也会降低,从而使SMPS具有更高的可靠性。
4.由于SiC肖特基二极管的开关行为于正向电流(Iload)、开关速度(di/dt)和温度,因此这种二极管在设计中很容易使用。在设计中采用SiC肖特基二极管能够实现大的开关工作频率(高可达1MHz),从而可以使用更小体积的无源器件。 低的开关损耗和低的Vf能使用更小的散热器或风扇。另外,由于具有正的温度系数,SiC肖特基二极管能够非常方便地并行放置。
5.改进的浪涌电流能力 提供改进的浪涌电流功能,允许针对应用中的平均电流条件进行设计,也就是说,大多数的启动和AC回落引起的浪涌和过流能很好地获得处理。图2表明,在正常工作状态,与具有零反向恢复电荷的普通肖特基二极管没什么两样,在大电流状态其正向特性如同双极pn二极管一样,能够显著减少功率损耗。 由于改进的浪涌电流能力使得在指定应用中采用更低标称电流的二极管进行设计成为可能。到目前为止,二极管的浪涌电流额定值仍是重要的设计考虑因素。已经具有良好浪涌电流标称值的6A二极管IFSM=21A@10ms的thinQ!被极大地增强为IFSM 49A@10ms的thinQ!2G。 对实际应用(6A IFX代SiC肖特基二极管、PFC、宽范围)进行的测试证实了这些改进:6A代SiC肖特基二极管足以用来处理启动时的浪涌电流,结温会升高到50℃。这种情况非常接近由于肖特基特性而引起的热失控,如图2所示。在通常情况下可以使用更小体积的二极管。

.雪崩二极管(Avalanche Diode)
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。

红外发光二极管的检测
A.判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚,通常长引脚为正极,短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状,所以管壳内的电极清晰可见,内部电极较宽较大的一个为负极,而较窄且小的一个为正极。
B.先测量红个发光二极管的正、反向电阻,通常正向电阻应在30k左右,反向电阻要在500k以上,这样的管子才可正常使用。

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