快速熔断器的选用
也称电压电流法。线路变流变压器的线电压应低于快速熔断器的额定电压。经电力半导体器件与快速熔断器串联短路实验验证,以半导体额定电流乘以系数,做为所选用的快速熔断器的额定电流。因快速熔断器的额定电流是有效值,而半导体器件的额定电流是平均值,针对上述第一类配置方案,对第一代产品RSO, RS3系列(我国快速熔断器的发展史可分为4个阶段,第一代是全国联合设计的RSO, RS3系列,参数为480 A,750 V以下,分断能力为50 kA,是一种体积较大、价格低廉,重庆快速熔断器、电寿命短的初级产品,目前尚有相当装机量)而言,该系数可按整流管为1,重庆快速熔断器. 4,晶体管1. 2、快速晶体管为1来选配,如ZP1000配1 400 A快速熔断器。针对上述第二类配置方案(图2),重庆快速熔断器,则可依据阀电流Iv以及变流装置的负载特性选择快速熔断器,再按整流器可能产生的比较大故障电流,来选择有足够分断能力的快速熔断器,如50 kA或100 kA,其中50 kA为合格品,100 kA为一级品。

重庆快速熔断器

快速熔器电流通过能力满足系统短路电流的要求后,发生短路故障时可以隔离故障电流,但能否保护所串联的半导体器件则必须分析二者的I2t值。只有当快速熔断器的I2t值小于半导体器件I2t值时,才能对半导体器件起到保护作用。短路故障时I2t值分为两个阶段,即弧前I2t和熔断I2t。熔体金属从固态转为液态的时间是弧前时间,大约1.0~2.0ms,可以认为是绝热过程,此时间段快速熔断器产生的电流时间积分可以认为是一定值,由设计来确定。弧前I2t值对于不同的材料其值也不同,对于每一种材料它是一个常数。当熔体金属变为蒸气时电弧始燃,在燃弧过程中电流由限流值降至零,此阶段的I2t即为熔断I2t,它是一个变量。这一过程主要依靠填料被腐蚀而吸收能量。
在设计快速熔断器时,为满足半导体器件不断提高的额定电流,要采取许多措施,而不能简单地用算术方法来选择快速熔断器。实验证明,当额定电流增加1倍时,快速熔断器的I2t值是原来的4 倍,而半导体器件I2t值的增加要小的多。要使快速熔断器降低I2t值有较大的难度,只有多方面采取措施,如合理的熔片分布、缩短熔体长度、减小电弧栅和提高灭弧材料的熄弧能力等。I2t值是精选快速熔断器的重要指标之一。

重庆快速熔断器

快速熔断器在半导体电力整流器保护中的配置一般分2类。
变流臂内部并联支路配置保护式
此类型主要用于大功率和超大功率整流器的保护。当变流臂中某一支路器件因某种原因损坏时(每一支路根据设备功率不同,一般并联几对快速熔断器和半导体整流元件串联而成,图1仅标出1对快速熔断器与半导体整流元件),导致与之串联的快速熔断器保护分断后,一般情况下仅1个器件出故障,并不影响整个整流器的正常运行。
分相配置总体保护式
此类型主要用于中、小功率整流器的保护。当某一变流臂中的器件因某种原因损坏时,导致该相快速熔断器保护分断后,整流器的保护将自动切断供电电源,停止向整流器供电。
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